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NTMFS4845N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
30
100
10
V DS = 15 V
ID = 15 A
V GS = 11.5 V
t d(off)
t r
t f
t d(on)
25
20
15
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
240
220
I D = 39 A
100
10
10 m s
100 m s
1 ms
200
180
160
140
120
1
0.1
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
0.1 1
10
10 ms
dc
100
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
160
140
120
100
80
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1000
100
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
60
10
125 ° C
100 ° C
25 ° C
40
20
0
0
15
30
45
60
75
V DS = 1.5 V
90 105
120
1
1
10
100
1000
10,000
DRAIN CURRENT (A)
Figure 13. g FS vs. Drain Current
http://onsemi.com
5
PULSE WIDTH ( m s)
Figure 14. I d vs. Pulse Width
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